Ausstattung

Geräteausstattung/Technologische Möglichkeiten

  • Schichtabscheidung:
    Ofenprozesse: Oxid feucht, trocken
    LPCVD Si, Si3N4, SiO2
    TEOS
    Sputtern: Al, Cr, Ti, u. a., auch reaktiv (N2,O2)
    Bedampfen mit Elektronenstrahlverdampfer: verschiedene Schichten
    PECVD: SixOy, SixNy
  • Lithografie:
    Maskenerstellung (10 µm)
    Belacken, Entwickeln
    Belichten: Proximity, Kontakt beidseitig
  • Ätzen/Reinigung:
    Nasschemisch: Single Wafer, Backside, Batch
    Megasonic
    RIE, ICP
    Verascher (O2 und CF4)

Geräteausstattung/Strukturanalyse

  • Schichtdickenmessungen, REM, EDX, AFM,
    Mikroprofilometrie, (Konfokale) Mikroskopie, Ellipsometrie, Stressmessung
    Ultraschallmikroskop, Linsenmessgerät
    Rauhigkeitsmessung (Profilometer, AFM, Mikro-Raman)
    Stressmessungen auf Chipebene mittels Mikro-Raman
    Stressmessungen auf Waferebene mittels Profilometer bis 8“
    Vibrationsviskosimeter

Chemische Analytik (auch Materialproben nach SEMI-Standard)

  • AAS, FTIR mit Mikroskop, ATR
    UV/Vis-Spektroskopie, (Mikro-)Raman-Spektroskopie
    GC-MS, Ionenchromatografie, Kalorimetrie, Epi-Fluoreszenzmikroskopie, Elymat

Elektrische Analytik

  • Waferprober für Kennlinienaufnahmen und GOI-Messungen
    Vierspitzenmessgerät

Montage

  • Anodischer Bonder
    Wafersäge

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